[发明专利]一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611025279.4 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN106409977B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 田小让;张林;侯洪涛;赵冠超;谷士斌;杨荣;李立伟;孟原;郭铁 申请(专利权)人: 新奥光伏能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/02;B08B3/08;C30B33/10
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 065001 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法,该清洗方法包括对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化;采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上,又加入了盐酸对金属离子的络合作用,可以溶解残留的金属离子,进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果,进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合,提高太阳能电池硅片中少子的寿命,从而提高太阳能电池的效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 硅片 清洗 方法 制备
【主权项】:
一种太阳能电池硅片的清洗方法,其特征在于,包括:对太阳能电池硅片进行预清洗使得所述太阳能电池硅片表面产生氧化;采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过所述预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗;其中,在所述氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液中,所述氢氟酸的质量百分比和双氧水的质量百分比相同;所述氢氟酸的质量百分比为0.1wt%至2wt%,所述双氧水的质量百分比为0.1wt%至2wt%,所述盐酸的质量百分比为0.5wt%至5wt%。
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