[发明专利]碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法有效

申请号：	201611021916.0	申请日：	2016-11-16
公开（公告）号：	CN108074800B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	赵艳黎;李诚瞻;高云斌;陈喜明;史晶晶;吴佳;王弋宇;杨鑫著;刘国友	申请（专利权）人：	株洲中车时代电气股份有限公司
主分类号：	H01L21/04	分类号：	H01L21/04;H01L21/3065;H01L21/336
代理公司：	11611 北京聿华联合知识产权代理有限公司	代理人：	张少辉
地址：	412001 湖***	国省代码：	湖南;43
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摘要：	本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。
搜索关键词：	半导体基材蚀刻掩膜底壁碳化硅半导体窗口区沟槽栅弧面基材暴露侧壁相连侧壁相切底壁延伸顶部边缘弧面形侧壁
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【主权项】：

1.碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤，/n步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在所述第一掩膜上形成暴露所述半导体基材的窗口区；/n步骤二：通过所述窗口区对所述半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，所述第一沟槽的的底壁通过弧面与侧壁相连，所述弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向所述底壁延伸；/n步骤三：除去所述半导体基材上的第一掩膜，并且在所述第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的所述第一沟槽之间为所述半导体基材的暴露部分；/n步骤四：在所述第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻所述半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度，并且所述第一沟槽的所述弧面形成为所述第二沟槽的侧壁的顶部边缘。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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