[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611021412.9 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107039278B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 林群雄;吴忠政;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;谢文兴;许义明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括形成从衬底延伸的鳍。鳍具有源极/漏极(S/D)区和沟道区。鳍包括第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层具有第一组分，且第二半导体层具有不同于第一组分的第二组分。该方法还包括从鳍的S/D区去除第一半导体层，从而使得第二半导体层的在S/D区中的第一部分悬置在间隔中。该方法还包括在S/D区中外延生长第三半导体层，第三半导体层围绕在第二半导体层的第一部分周围。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底延伸的鳍，所述鳍具有源极/漏极区和沟道区，其中，所述鳍包括第一半导体层和所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层具有第一组分，以及所述第二半导体层具有与所述第一组分不同的第二组分；从所述鳍的所述源极/漏极区去除所述第一半导体层，从而使得所述第二半导体层在所述源极/漏极区中的第一部分悬置在间隔中；以及在所述源极/漏极区中外延生长第三半导体层，所述第三半导体层围绕在所述第二半导体层的所述第一部分周围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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