[发明专利]制造非挥发性记忆体元件的方法

摘要

本揭露为制造非挥发性记忆体元件的方法。一种例示性方法是关于形成异质结构于基板上。异质结构包含至少一半导体层对，其具有第一半导体层及置于第一半导体层上的第二半导体层，且第二半导体层异于第一半导体层。具有虚设栅极的栅极结构形成于异质结构的部分上使得栅极结构将异质结构分隔出源极区及漏极区及定义出介于源极区及漏极区间的通道区。于栅极置换制程期间，纳米晶体浮动栅极自第二半导体层形成于通道区中。在一些实施方式中，于栅极置换制程期间，纳米线自第一半导体也形成于通道区中。

主权项

一种制造非挥发性记忆体元件的方法，其特征在于包含：形成一异质结构于一基板上，其中该异质结构包含至少一半导体层对，其具有一第一半导体层及置于该第一半导体层之上的一第二半导体层；该第二半导体层异于该第一半导体层；形成一栅极结构包含一虚设栅极于该异质结构的一部分之上，该栅极结构横跨该异质结构，使得该栅极结构将该异质结构分隔出一源极区及一漏极区，及定义出一通道区介于该源极区及该漏极区之间；以及用于以一控制栅极置换该虚设栅极的一栅极置换制程期间，自该第二半导体层一纳米晶体浮动栅极形成于该通道区中。