[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610996917.0 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106972057A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;申宪宗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括形成在第一方向上延伸的鳍。虚设层被形成为包括布置在鳍上的多个半导体层。多个半导体层中的每个具有彼此不同的杂质浓度。虚设层被蚀刻以形成虚设栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：形成在第一方向上延伸的鳍；形成包括布置在所述鳍上的多个半导体层的虚设层，其中所述多个半导体层中的每个具有彼此不同的杂质浓度；以及蚀刻所述虚设层以形成虚设栅电极。
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