[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成在第一方向上延伸的鳍；

形成包括布置在所述鳍上的多个半导体层的虚设层，其中所述多个半导体层中的每个具有彼此不同的杂质浓度；以及

蚀刻所述虚设层以形成虚设栅电极。

2.如权利要求1所述的方法，

其中所述多个半导体层中的每个根据对于所述半导体层中的每个的所述不同杂质浓度相对于相同蚀刻剂具有彼此不同的蚀刻速率。

3.如权利要求1所述的方法，

其中所述多个半导体层中的每个的所述杂质浓度随着其更靠近所述鳍而增加。

4.如权利要求3所述的方法，

其中所述多个半导体层的每个中掺杂的杂质是锗(Ge)、磷(P)和砷(As)的至少一种。

5.如权利要求3所述的方法，

其中所述多个半导体层中的每个的所述蚀刻速率随着所述杂质浓度增加而增加。

6.如权利要求3所述的方法，

其中所述杂质浓度在所述多个半导体层的每个中以梯度变化。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述虚设栅电极包括在所述虚设栅电极和所述鳍之间沿所述鳍的上表面和侧壁形成凹线。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述形成所述虚设栅电极包括由清洁溶液清洁所述虚设栅电极以修整所述凹线。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述形成所述虚设栅电极包括氧化所述虚设栅电极的表面，以及蚀刻所述虚设栅电极的被氧化的表面。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述虚设层包括通过虚设层沉积工艺形成所述虚设层，其中所述虚设层沉积工艺包括注入杂质的杂质注入工艺，以及其中所述杂质注入工艺中注入的所述杂质的所述浓度随时间降低。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述虚设栅电极的侧壁上形成间隔物；以及

由栅电极替换所述虚设栅电极。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成在第一方向上延伸的鳍；

形成沿所述鳍的相对较长边形成并且暴露所述鳍的上部的场绝缘膜；

通过虚设层沉积工艺在所述鳍的被暴露的上部上形成虚设层；

蚀刻所述虚设层以形成包括形成在所述虚设层和所述鳍之间的凹线的虚设栅电极；

在所述虚设栅电极的侧壁上形成间隔物以填充所述凹线；以及

由栅电极替换所述虚设栅电极。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述虚设层沉积工艺包括注入杂质的杂质注入工艺，以及其中在所述杂质注入工艺中注入的所述杂质的所述浓度随时间降低。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述杂质注入工艺中注入的所述杂质包括锗(Ge)、磷(P)和砷(As)的至少一种。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述虚设层包括具有彼此不同的杂质浓度的多个半导体层，以及

其中所述多个半导体层相对于相同蚀刻剂的蚀刻速率随所述杂质浓度增加而增加。

16.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成鳍；

形成场绝缘膜，所述场绝缘膜被形成在所述鳍的第一侧表面和第二侧表面上；

形成共形地覆盖所述场绝缘膜的上表面、所述鳍的所述第一侧表面和第二侧表面以及所述鳍的上表面的虚设栅绝缘膜；

执行虚设层沉积工艺和杂质注入工艺以形成包括布置在所述鳍上的多个半导体层的虚设层，其中所述多个半导体层中的每个具有彼此不同的杂质浓度；以及

蚀刻所述虚设层以形成虚设栅电极。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述多个半导体层中的每个的所述杂质浓度随着其更靠近所述鳍而增加。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述多个半导体层中的每个中掺杂的杂质是锗(Ge)、磷(P)和砷(As)的至少一种。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述多个半导体层中的每个的蚀刻速率随着所述杂质浓度增加而增加。

20.如权利要求17所述的方法，其中所述杂质浓度在所述多个半导体层的每个中以梯度变化。