[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明构思涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件可以包括多栅晶体管，在多栅晶体管中鳍状或纳米线状多沟道有源图案(或硅体)被形成在衬底上。栅可以被形成在多沟道有源图案的表面上。

多栅晶体管可以包括三维沟道，并且多栅晶体管可以按比例缩小。即使当多栅晶体管的栅长度不被增加时，电流控制能力也能被提高。沟道区域的电势被漏电压影响的短沟道效应(SCE)的出现可以被减少。

发明内容

本发明构思的一个或更多示例实施方式提供具有提高的可靠性和操作特性的半导体器件及其制造方法。

根据本发明构思的一示例实施方式，制造半导体器件的方法包括形成在第一方向上延伸的鳍。虚设层被形成为包括布置在鳍上的多个半导体层。多个半导体层中的每个具有彼此不同的杂质浓度。虚设层被蚀刻以形成虚设栅电极。

根据本发明构思的一示例实施方式，制造半导体器件的方法包括形成在第一方向上延伸的鳍。场绝缘膜沿鳍的相对较长的边被形成并且暴露鳍的上部。虚设层通过虚设层沉积工艺被形成在暴露的上部鳍上。虚设层被蚀刻以形成包括在虚设层和鳍之间形成的凹线的虚设栅电极。间隔物被形成在虚设栅电极的侧壁上以填充凹线。由栅电极替换虚设栅电极。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例实施方式，本发明构思的以上及其它特征将变得更加明显，其中：

图1至10示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法。

图11示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的一步骤。

图12和13示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的步骤。

图14至22示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的步骤。

图23示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的一步骤。

图24是包括根据本发明构思的一示例实施方式的半导体器件的电子系统的框图。

图25示出包括根据本发明构思的一示例实施方式的半导体器件的一示例半导体系统。

具体实施方式

本发明构思的方面及其实现方法将参考附图在以下被更详细地描述，在其中一些示例实施方式被示出。然而，本发明构思可以以多种不同形式被实现并且不应被解释为限于此处阐述的实施方式。在说明书和图中，为了清晰，层和/或区域的厚度可以被夸大。

将理解，当一元件或层被称为在另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上或者直接连接到所述另一元件或层，或者居间元件或层可以存在。相同附图标记贯穿说明书和图可以指代相同元件。

还将理解，当一层被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在所述另一层或基板上，或者居间层可以存在。

将理解，尽管术语第一、第二等可以在此被用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。

根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法将参考图1至10在以下被更详细地描述。

图1至10示出根据本发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法。图1至5和7是透视图。图6是沿图5的线A-A截取的剖视图。图8是沿图7的线C-C截取的剖视图。图9是沿图7的线E1-E1截取的剖视图。图10是在与图9的剖视图相同的方向上截取的剖视图。

参考图1，鳍420可以被形成在衬底100上。

鳍420可以在第三方向(Z1)上突出。鳍420可以沿第一方向(Y1)延伸，并且可以具有在第一方向(Y1)上的长边和在第二方向(X1)上的短边。然而，本发明构思的示例实施方式不限于此。例如，鳍420可以具有在第二方向(X1)上的长边和在第一方向(Y1)上的短边。