[发明专利]一种电荷补偿肖特基半导体装置在审
| 申请号： | 201610996599.8 | 申请日： | 2016-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108074986A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的电荷补偿肖特基半导体装置，在沟槽之间漂移层内设置电荷补偿半导体材料，提高器件反向阻断特性，降低沟槽底部峰值电场，提高可靠性；本发明的电荷补偿肖特基半导体装置在沟槽内上部设置MIS结构，用于降低肖特基势垒结反向偏压下的表面电场，降低反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷补偿 半导体装置 肖特基 半导体材料 肖特基势垒结 反向漏电流 表面电场 反向偏压 反向阻断 峰值电场 漂移层 | ||
【主权项】：
1.一种电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料；漂移层，为第二导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽侧壁设置绝缘材料层，沟槽内下部设置绝缘材料；导电材料，位于沟槽内上部，为金属、多晶硅或无定形硅；第一导电半导体材料区，为第一导电半导体材料，位于漂移层内，临靠沟槽侧壁和漂移层表面，并与衬底层相连，第一导电半导体材料区与漂移层第二导电半导体材料形成电荷补偿结构，沟槽之间漂移层上表面为第二导电半导体材料和第一导电半导体材料；肖特基势垒结，位于临靠沟槽第一导电半导体材料区上表面；上下表面电极金属，位于半导体装置上下表面，上表面电极金属连接肖特基势垒结、漂移层第二导电半导体材料和导电材料。
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