[发明专利]半导体元件的制造方法有效

申请号：	201610993734.3	申请日：	2016-11-11
公开（公告）号：	CN107017203B	公开（公告）日：	2020-01-17
发明（设计）人：	潘婉君;洪伟伦;陈盈淙	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L27/088
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
搜索关键词：	半导体元件制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：/n提供一前置物，具有一基板以及位于该基板上的多个凸出部，所述多个凸出部之间安插有多个沟槽；/n沉积一第一介电层于在所述多个凸出部上并填补所述多个沟槽，该第一介电层具有一第一硬度；/n使用一氧化剂处理该第一介电层；/n在处理该第一介电层后，在该第一介电层上沉积一第二介电层，其中该第二介电层具有高于该第一硬度的一第二硬度；以及/n对该第一介电层和该第二介电层执行化学机械研磨制程，其中处理该第一介电层的一温度范围为摄氏15度至摄氏90度，该氧化剂为一氢氟酸，且该氢氟酸的浓度范围为0.005％至0.1％。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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