[发明专利]三维电阻式存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维电阻式存储器及其制造方法。三维电阻式存储器包括通道柱、第一栅极柱、第一栅极介电层、第一与第二堆叠结构、可变电阻柱以及电极柱。通道柱配置在基底上。第一栅极柱配置在通道柱的第一侧的基底上。第一栅极介电层配置于通道柱与第一栅极柱之间。第一与第二堆叠结构分别配置于通道柱的彼此相对的第二与第三侧的基底上。第一与第二堆叠结构各自包括交互堆叠的多个导体材料层与多个绝缘材料层。可变电阻柱配置于第一堆叠结构的与通道柱相对的一侧的基底上。电极柱配置于基底上，且位于可变电阻柱的内部。本申请可通过对位于不同层的晶体管单元进行个别控制来抑制潜泄漏电，进而避免未选择的存储器单元意外地重置或设定。

主权项

一种三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器包括：通道柱，配置在基底上；第一栅极柱，配置在所述通道柱的第一侧的所述基底上；第一栅极介电层，配置于所述通道柱与所述第一栅极柱之间；第一堆叠结构与第二堆叠结构，分别配置于所述通道柱的彼此相对的第二侧与第三侧的所述基底上，所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构各自包括交互堆叠的多个导体材料层与多个绝缘材料层；可变电阻柱，配置于所述第一堆叠结构的与所述通道柱相对的一侧的所述基底上；以及电极柱，配置于所述基底上，且位于所述可变电阻柱的内部。