[发明专利]三维电阻式存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器包括：

通道柱，配置在基底上；

第一栅极柱，配置在所述通道柱的第一侧的所述基底上；

第一栅极介电层，配置于所述通道柱与所述第一栅极柱之间；

第一堆叠结构与第二堆叠结构，分别配置于所述通道柱的彼此相对的第二侧与第三侧的所述基底上，所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构各自包括交互堆叠的多个导体材料层与多个绝缘材料层；

可变电阻柱，配置于所述第一堆叠结构的与所述通道柱相对的一侧的所述基底上；以及

电极柱，配置于所述基底上，且位于所述可变电阻柱的内部，

其中所述通道柱是由非晶硅、多晶硅或两者构成的材料层。

2.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述导体材料层的材料包括氮化钛或氮化钽。

3.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述电极柱由外部往内部包括离子交换层、阻障层与电极层。

4.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器还包括绝缘柱，配置于所述基底上，且位于所述通道柱的内部。

5.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述第一堆叠结构的与所述可变电阻柱连接的侧壁具有多个凹槽，其中所述多个凹槽中的一者位于相邻两个所述导体材料层之间或相邻两个所述绝缘材料层之间。

6.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器还包括：

位线；以及

字线，

其中所述位线电性连接所述电极柱，所述字线电性连接所述第一栅极柱，所述位线与所述字线中至少一者的延伸方向与所述第二堆叠结构的延伸方向交错。

7.根据权利要求1所述的三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器还包括：

第二栅极柱，配置在所述通道柱的与第一侧相对的第四侧的所述基底上；以及

第二栅极介电层，配置于所述通道柱与所述第二栅极柱之间。

8.一种三维电阻式存储器，其特征在于，所述三维电阻式存储器包括：

堆叠结构，配置于基底上且具有彼此垂直的线部与突出部，所述堆叠结构包括交互堆叠的多个导体材料层与多个绝缘材料层；

第一栅极柱，配置在所述突出部的第一侧的所述基底上；

第一栅极介电层，配置于所述突出部与所述第一栅极柱之间，其中所述第一栅极介电层侧向环绕所述第一栅极柱；

可变电阻柱，配置于所述突出部的与所述线部相对的一侧的所述基底上；以及

电极柱，配置于所述基底上，且位于所述可变电阻柱的内部。

9.一种三维电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述三维电阻式存储器的制造方法包括：

于基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交互堆叠的多个导体材料层与多个绝缘材料层；

移除部分所述堆叠结构以暴露出所述基底，且形成彼此相连的第一堆叠部以及第二堆叠部，其中所述第一堆叠部的延伸方向与所述第二堆叠部的延伸方向互相垂直；

于所述基底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一堆叠部以及所述第二堆叠部的侧边；

移除部分所述第一绝缘层而暴露出所述基底且形成第一开孔，所述第一开孔位于所述第二堆叠部的一侧且通过所述第一绝缘层与所述第二堆叠部分隔开；

于所述第一开孔中形成第一栅极材料层；

移除部分所述第一绝缘层而形成第二开孔，所述第二堆叠部位于所述第一堆叠部与所述第二开孔之间；以及

于所述第二开孔的侧壁上依序形成可变电阻层与电极材料层。