[发明专利]具有改进的相位检测像素的BSI CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201610965001.9 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106653786B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘家颖;彭进宝;熊志伟;威尼斯·文森特 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改进的背照式(BSI)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和相关联的方法改进相位检测能力。BSI CMOS图像传感器具有包括相位检测像素(PDP)、由埋藏式滤色镜阵列和复合金属/氧化物格栅形成的复合格栅、和对应PDP的光电二极管植入的像素阵列。PDP掩膜被与邻近PDP的深槽隔离(DTI)结构一起制造，并被布置为掩盖光电二极管植入的至少部分，使得PDP掩膜被布置于复合格栅和光电二极管植入之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 相位 检测 像素 bsicmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种背照式BSI互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，具有包括相位检测像素PDP、由埋藏式滤色镜阵列和复合金属/氧化物格栅形成的复合格栅、和对应所述PDP的光电二极管植入的像素阵列，所述图像传感器包括：/nPDP掩膜，与邻近所述PDP的深槽隔离DTI结构同时地被制造，并被布置为掩盖所述光电二极管植入的至少部分；/n其中，所述PDP掩膜由与所述DTI结构相同的材料制造，且被布置于所述复合格栅和所述光电二极管植入之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
