[发明专利]一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201610963226.0 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106601821A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，栅绝缘层中形成第一高阻区，电导率低于栅绝缘层，且第一高阻区横穿栅绝缘层；半导体层中形成第二高阻区，电导率低于半导体层，且第二高阻区横穿半导体层。本发明增加了薄膜晶体管在制造过程中的抗静电击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 良好 抗静电 击穿 能力 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有良好抗静电击穿能力的薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，其特征在于：栅绝缘层中形成第一高阻区，电导率低于栅绝缘层，且第一高阻区横穿栅绝缘层；半导体层中形成第二高阻区，电导率低于半导体层，且第二高阻区横穿半导体层。
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