[发明专利]一种半导体整流二极管在审
| 申请号： | 201610963220.3 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106449731A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体整流二极管，包括：芯片、N区电极、N区引线、P区电极和P区引线，所述芯片包括：N区半导体层、P区半导体层，以及N区半导体层与P区半导体层之间形成的PN结，N区半导体层包括轻掺杂N区半导体层与重掺杂N区半导体层，重掺杂N区半导体层与P区半导体层在轻掺杂N区半导体层同侧掺杂扩散形成。本发明整流二极管N区电极以及P区电极在芯片的同侧，芯片厚度减小，利于器件的小型化，同时简化二极管电路制备工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 整流二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体整流二极管，包括：芯片、N区电极、N区引线、P区电极和P区引线，所述芯片包括：N区半导体层、P区半导体层，以及N区半导体层与P区半导体层之间形成的PN结，所述N区电极一侧形成在N区半导体层上，另一侧连接N区引线，所述P区电极一侧形成在P区半导体层上，另一侧连接P区引线，其特征在于：N区半导体层包括轻掺杂N区半导体层与重掺杂N区半导体层，重掺杂N区半导体层与P区半导体层在轻掺杂N区半导体层同侧掺杂扩散形成，N区电极形成在重掺杂N区半导体层上，PN结形成在轻掺杂N区半导体层与P区半导体层之间。
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