[发明专利]一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法有效
申请号: | 201610962880.X | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN106413270B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 惠宇;孙旭东;毕孝国;刘旭东 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06;H05K3/10 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 李猛 |
地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法,其氮化铝陶瓷电路板包括:表面覆盖有激光烧结的金属导电层的陶瓷基板,和利用化学刻蚀方法进行制备的电路。其氮化铝陶瓷电路板制备方法,包括:根据氮化铝陶瓷片尺寸,绘制出需要金属化区域;对氮化铝陶瓷片进行激光烧结,激光扫描烧结结束,氮化铝陶瓷片表面全部金属化;对氮化铝覆铜板进行化学刻蚀,最终得到电路板;将上述电路板进行抛光,丝印文字后进行热固化。本发明的陶瓷基板与金属导电层之间不含有传统金属化方法所含有的低导热、绝缘玻璃相,从而保证了陶瓷电路板的导热性和金属层的导电性。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 电路板 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法,其特征在于,包括:S1:根据氮化铝陶瓷片尺寸,绘制出需要金属化区域;S2:在氮化铝陶瓷片表面涂覆一层金属粉末;S3:然后进行激光烧结,同时打开喷粉装置对准激光烧结点进行连续喷粉,辅以真空低压收集装置,对多余未烧结的金属粉末进行收集,激光扫描烧结结束,氮化铝陶瓷片表面全部金属化;S4:对氮化铝覆金属板进行化学刻蚀,最终得到电路板;S5:将上述电路板进行抛光,丝印文字后进行热固化;步骤S4中是采用热转印法或光刻蚀法对氮化铝覆金属板进行化学刻蚀;所述热转印法,包括:A:通过热转印打印机把电路图案打印在热转印纸上;B:然后使用烫印机将电路图案热转印到氮化铝陶瓷覆金属板上;C:利用化学刻蚀液对氮化铝陶瓷覆金属板进行化学刻蚀;所述光刻蚀法,包括:a、在氮化铝覆金属板的薄膜表面均匀地覆盖上一层光刻胶;将光刻掩模上设计好的微流控芯片图案通过曝光成像的方法,将光刻图案转移到光胶层上;b、利用化学刻蚀液对氮化铝陶瓷覆金属板进行化学刻蚀。
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