[发明专利]一种高亮度发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610940578.4 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106410008B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;黄龙杰;汪洋;李伟;马双彪;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。包括反光层、基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电子阻挡层、透明导电层、钝化保护层、以及P型电极和N型电极，N型半导体层、发光层、P型半导体层依次层叠在基板上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，电子阻挡层设置在P型半导体层上，透明导电层设置在电子阻挡层和P型半导体层上，P型电极设置在透明导电层上，N型电极设置在N型半导体层上，反光层设置在基板上，钝化保护层包括沉积在透明导电层和N型半导体层上的第一子层、以及沉积在凹槽的侧壁上的第二子层，第二子层沉积的厚度大于第一子层沉积的厚度。本发明可提高芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管芯片，所述高亮度发光二极管芯片包括反光层、基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电子阻挡层、透明导电层、钝化保护层、以及P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述发光层、所述P型半导体层依次层叠在所述基板的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述电子阻挡层设置在所述P型半导体层上，所述透明导电层设置在所述电子阻挡层和所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电层上，所述N型电极设置在所述N型半导体层上，所述反光层设置在所述基板的第二表面上，所述基板的第二表面为与所述基板的第一表面相反的表面，其特征在于，所述钝化保护层包括沉积在所述透明导电层和所述N型半导体层上的第一子层、以及沉积在所述凹槽的侧壁上的第二子层，所述第二子层沉积的厚度大于所述第一子层沉积的厚度；其中，所述第一子层和所述第二子层采用以下方式沉积：在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积所述第二子层；采用光刻工艺和刻蚀工艺去除所述透明导电层和所述N型半导体层上沉积的所述第二子层；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积所述第一子层；采用光刻工艺和刻蚀工艺去除所述P型电极所在的区域、所述N型电极所在的区域、以及所述凹槽的侧壁上沉积的所述第一子层。
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