[发明专利]一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610937244.1 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106486557B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 袁晓杰;张军;廖峻;邵乐喜 | 申请（专利权）人： | 岭南师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/0749;C01G11/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 张月光,林伟斌 |
| 地址： | 524048 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，将金属源CdSO4、硫源Na2S2O3、含SO32‑的硫源释放控制剂及H2SO4溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。所述方法能够使硫源的释放得到控制，提高了薄膜生长的均匀性。对比一般光化学沉积工艺，该工艺使用的深紫外光源功率小，热效应低，经过光学设计后在固定范围内深紫外光强度均一，能制备出达到铜铟镓硒太阳能电池缓冲层要求的、均匀一致的、与基底紧密接触的高质量纳米硫化镉薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 光化学 水浴 沉积 制备 硫化 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，其特征在于，将金属源CdSO4、硫源Na2S2O3、含SO32‑的硫源释放控制剂及H2SO4溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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