[发明专利]一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法

权利要求书

1.一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，其特征在于，将金属源CdSO₄、硫源Na₂S₂O₃、含SO₃^2-的硫源释放控制剂及H₂SO₄溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属源CdSO₄浓度为1.5×10^-3~2.5×10^-3mol/L，硫源Na₂S₂O₃浓度为0.08~0.15mol/L、含SO₃^2-的硫源释放控制剂浓度为4×10^-4~7.5×10^-4mol/L、H₂SO₄溶液的质量分数为0.3%。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属源CdSO₄、硫源Na₂S₂O₃、含SO₃^2-的硫源释放控制剂以及H₂SO₄溶液的混合体积比为1:1:1:1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含SO₃^2-的硫源释放控制剂为Na₂SO₃或(NH₄)₂SO₃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述深紫外光的光源为单波长光源，波长为275nm，功率为0.8~1.5mW/cm²。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，深紫外光照射的时间为35~45min。

7.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，深紫外光先经过抛物面反光膜聚光，再经过紫外熔融石英散射片散射，再经过反光膜通道聚光，并使聚光通道底部距离沉积液面小于2mm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，衬底为ITO玻璃、涂覆有CIGS吸收层的玻璃，衬底在使用前经过表面活化处理。