[发明专利]压力传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201610929260.6 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106384749A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈帅;倪文海;徐文华 | 申请（专利权）人： | 杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 尹兵,苗绘 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种压力传感器及其制作方法，在碳化硅SiC的衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别形成有源极、漏极；在所述AlGaN帽层的栅极位置上设置有经过高压极化的β型PVDF薄膜。本发明充分结合PVDF和HEMT的特点，制成的新型异质结压力传感器，可以有效提高感应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种β型PVDF薄膜的制备方法，其特征在于：将β型PVDF薄膜的样品放在铜制基板上，并浸没于全氟三丁胺溶液中；一铜线悬在所述β型PVDF薄膜的样品的上方，将所述铜线与直流电源连通，并将铜制基板接地，向所述β型PVDF薄膜的样品施加高压，得到β型PVDF薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司，未经杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610929260.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线路差异化防雷治理方法
- 下一篇：一种移动式电力高空作业支撑底座
- 同类专利
- 专利分类
