[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：形成包括核心区和外围区的衬底；在核心区和外围区衬底上分别形成第一伪栅结构和第二伪栅结构，第一伪栅结构包括第一栅氧化层和第一伪栅电极层，第二伪栅结构包括第二栅氧化层和第二伪栅电极层；去除第一伪栅电极层和第二伪栅电极层，在伪栅结构之间衬底上的介质层中形成第一开口和第二开口；形成覆盖第一开口侧壁、底部和核心区介质层的第一阻挡层，以及覆盖第二开口侧壁、底部和外围区介质层的第二阻挡层；形成填充满第二开口且覆盖外围区的光阻图形；去除第一栅氧化层和第一阻挡层；去除光阻图形；去除第二阻挡层；在第一开口内和第二开口内形成栅极结构。所述形成方法可以提高晶体管的电学性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底包括用于形成核心器件的核心区和用于形成输入输出器件的外围区；在所述衬底上形成多个伪栅结构，位于核心区衬底上的为第一伪栅结构，位于外围区衬底上的为第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括第一栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括第二栅氧化层和第二伪栅电极层；在所述第一伪栅结构和第二伪栅结构之间的衬底上形成介质层；去除所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层，在所述介质层中形成露出第一栅氧化层的第一开口和露出第二栅氧化层的第二开口；形成覆盖第一开口侧壁和底部、第二开口侧壁和底部以及介质层的阻挡层，位于核心区的为第一阻挡层，位于外围区的为第二阻挡层；形成填充满第二开口且覆盖外围区的光阻图形；以所述光阻图形为掩膜，去除所述第一栅氧化层和第一阻挡层；去除所述光阻图形；去除所述光阻图形后，去除第二阻挡层，露出第二开口底部的第二栅氧化层；在所述第一开口和第二开口中形成金属层，位于第一开口中的所述金属层用于构成第一栅极结构；位于第二开口中的所述第二栅氧化层和所述金属层用于构成第二栅极结构。