[发明专利]浮栅型闪存结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610916109.9 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106449765A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浮栅型闪存结构及其制作方法，在所述基底上形成一沟道层，并在所述基底和所述沟道层中分别形成离子注入区，在贯穿所述沟道层延伸至所述基底中的凹槽中设置一栅极结构，所述栅极结构包括一控制栅、栅间介质层和至少两个浮栅，在所述沟道层中形成垂直沟道。因此，所述浮栅型闪存结构能在单个所述凹槽内同时实现多个位的存储，且共用所述控制栅，在不影响器件性能的前提下，进一步缩小了器件的尺寸，提高器件的存储密度，降低成本，提高竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅型 闪存 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅型闪存结构，其特征在于，所述浮栅型闪存结构包括：一基底，在所述基底中设置有两个离子注入区；一沟道层，所述沟道层位于所述基底之上，所述沟道层包括至少一层外延层，每层所述外延层中均设置有两个外延离子注入区，所述外延层中的两个外延离子注入区分别位于所述基底中的两个离子注入区的正上方；一凹槽，所述凹槽贯穿所述沟道层延伸至所述基底中，且所述凹槽位于所述基底中的两个离子注入区之间；一栅极结构，所述栅极结构设置于所述凹槽中，且所述栅极结构的一端延伸至所述基底中，所述栅极结构的另一端临近所述沟道层的上表面；其中，所述栅极结构包括一控制栅、栅间介质层和至少两个浮栅，所述浮栅排列于所述控制栅的两侧，每个所述浮栅均设置于临近所述凹槽的侧壁，所述控制栅垂直贯穿所述沟道层，所述栅间介质层将所述控制栅与每个所述浮栅均予以隔离。
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