[发明专利]一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914164.4 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711200B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;孟璐 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜，其中，在所述ZnRhMO中，Zn为+2价，Rh为+3价，二者与O结合共同形成材料的p型导电基体；M为Cu、Ni、Sn的一种，为亚氧化化学价态，即当M为Cu时，其为+1价；M为Ni时，为+2价；M为Sn时，为+2价；M掺入基体中，形成p型导电，且M与Zn和Rh共同作用形成空间网络结构，在非晶状态下彼此连通，起到空穴传输通道的作用。本发明还公开了一种制备p型ZnRhCuO非晶氧化物半导体薄膜的方法，以烧结的ZnRhCuO陶瓷片为靶材，采用脉冲激光沉积法制得p型ZnRhCuO非晶薄膜，其空穴浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 一种 znrhmo 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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