[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610910281.3 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107919424B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨春艳;吴志浩;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、透明导电层，所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在所述透明导电层上，所述发光二极管芯片还包括依次层叠在所述透明导电层上的出光增强层和绝缘保护层，所述出光增强层的折射率沿所述发光二极管芯片的层叠方向逐渐变化，且所述出光增强层各个位置的折射率均在所述透明导电层的折射率和所述绝缘保护层的折射率之间。本发明提高了LED芯片的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、透明导电层，所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在所述透明导电层上，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括依次层叠在所述透明导电层上的出光增强层和绝缘保护层，所述出光增强层的折射率沿所述发光二极管芯片的层叠方向逐渐变化，且所述出光增强层各个位置的折射率均在所述透明导电层的折射率和所述绝缘保护层的折射率之间；所述绝缘保护层为二氧化硅，所述透明导电层为掺镓的氧化锌或者掺铝的氧化锌，所述透明导电层的折射率大于所述绝缘保护层的折射率；所述出光增强层为(TiO2)x(SiO2)1-x或者(ZnO)x(SiO2)1-x，0＜x＜1，x沿所述发光二极管芯片的层叠方向线性减小，所述出光增强层的折射率沿所述发光二极管芯片的层叠方向逐渐减小。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司，未经华灿光电(浙江)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610910281.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接强度的测定方法
- 下一篇：材料的断裂表面的开裂机制的表征方法
