[发明专利]嵌入式闪存的多晶硅干蚀刻工艺的选择方法有效
| 申请号： | 201610885898.4 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106252286B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;李志国;杨勇;黄冲;邬镝 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种嵌入式闪存的多晶硅干蚀刻工艺的选择方法，所述方法包括以下步骤：提供所述嵌入式闪存的有源区的版图和浮栅区的版图；根据所述有源区的版图和浮栅区的版图，确定所述有源区与所述浮栅区的实际蚀刻区域的版图密度，所述实际蚀刻区域为通过干蚀刻工艺蚀刻多晶硅的区域；根据所述实际蚀刻版区域的版图密度和位于所述多晶硅下的氧化层在蚀刻后的预设厚度，选择对应的干蚀刻工艺。本发明方案可以根据多晶硅的实际蚀刻区域的版图密度，选择合适的多晶硅干蚀刻工艺，从而对浮栅末梢尖端进行精确控制，以提高闪存性能。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 闪存 多晶 蚀刻 工艺 选择 方法 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式闪存的多晶硅干蚀刻工艺的选择方法，其特征在于，包括以下步骤：提供所述嵌入式闪存的有源区的版图和浮栅区的版图；根据所述有源区的版图和浮栅区的版图，确定所述有源区与所述浮栅区的实际蚀刻区域的版图密度，所述实际蚀刻区域为通过干蚀刻工艺蚀刻多晶硅的区域；根据所述实际蚀刻区域的版图密度和位于所述多晶硅下的氧化层在蚀刻后的预设厚度，选择对应的干蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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