[发明专利]一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜的方法及其应用在审
申请号: | 201610879578.8 | 申请日: | 2016-10-09 |
公开(公告)号: | CN106410035A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 吴季怀;涂用广;何欣;郭攀峰 | 申请(专利权)人: | 华侨大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人: | 张松亭,游学明 |
地址: | 362021*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜的方法及其应用。方法包括如下步骤首先在二氧化钛介孔薄膜上旋涂卤化铅溶液;随后将异丙醇负载在湿的卤化铅薄膜上,静置0~150s,然后进行第二次旋涂,获得介孔卤化铅薄膜;接着将有机胺盐的异丙醇溶液负载在介孔卤化铅薄膜上,静置40s,进行第三次旋涂;退火处理。获得的钙钛矿薄膜均匀光滑,无卤化铅残留。采用FTO/TiO2致密层/TiO2介孔层/钙钛矿层/空穴传输层/金的电池结构组装钙钛矿太阳能电池,组装的钙钛矿太阳能电池器件短路电流、开路电压、填充因子均比现有技术中的两步旋涂法高,最终实现了高能量转化效率、器件重复性好的钙钛矿太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 三步旋涂 制备 钙钛矿 薄膜 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜的方法,其中钙钛矿薄膜的化学通式为APbX3,APb(XnY1‑n)3,APb(XmYnZ1‑m‑n)3,(AwB1‑w)PbX3,(AwB1‑w)Pb(XnY1‑n)3,或(AwB1‑w)Pb(XmYnZ1‑m‑n)3中的至少一种,其中A为CH3NH3+,B为CH2CHNH3+,Pb为二价,X为I,Y为Cl,Z为Br;所述方法包括下述步骤:1)在二氧化钛介孔薄膜上旋涂卤化铅的N,N‑二甲基乙酰胺溶液,获得湿的卤化铅薄膜;2)将异丙醇负载在步骤1中湿的卤化铅薄膜上,静置0~300s,旋涂获得具有介孔结构的卤化铅薄膜;3)向步骤2得到的介孔卤化铅薄膜上负载一层有机胺盐的异丙醇溶液,静置30‑90s,旋涂得到深红色的钙钛矿薄膜;4)将步骤3得到的钙钛矿薄膜,80‑120℃,20‑60min,退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华侨大学,未经华侨大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610879578.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机薄膜晶体管的制作方法
- 下一篇:一种大面积钙钛矿太阳电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择