[发明专利]自对准分栅闪存器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种自对准分栅闪存器件，单元结构包括：多晶硅字线，多晶硅浮栅，源极多晶硅；第一浮栅侧墙覆盖多晶硅浮栅的顶部表面以及多晶硅字线的第一侧面；在多晶硅浮栅的第一侧面形成有第二浮栅侧墙；由相邻两个单元结构的第一和第二浮栅侧墙自对准定义出源极多晶硅的形成区域，且源极多晶硅的底部宽度由第二浮栅侧墙自对准定义；第二浮栅侧墙材料包括通过对多晶硅浮栅的第一侧面的硅进行热氧化形成的第一氧化层以及采用CVD HTO形成的第二氧化层。本发明还公开了一种自对准分栅闪存器件的制造方法。本发明能够提高器件的数据保持能力，能保证对源极多晶硅的底部宽度以及多晶硅浮栅的长度进行良好的控制。

主权项

1.一种自对准分栅闪存器件，其特征在于，单元结构包括：多晶硅字线，多晶硅浮栅，源极多晶硅；所述多晶硅浮栅的第二侧面具有一厚度逐渐增加的倾斜结构，所述多晶硅字线的厚度大于所述多晶硅浮栅的厚度，所述多晶硅字线的第一侧面通过隧穿氧化层从侧面覆盖所述多晶硅浮栅的第二侧面并延伸到所述多晶硅浮栅的第二侧面的顶部；第一浮栅侧墙覆盖所述多晶硅浮栅的顶部表面以及所述多晶硅字线的第一侧面；所述多晶硅浮栅的第一侧面由所述第一浮栅侧墙自对准定义；在所述多晶硅浮栅的第一侧面形成有第二浮栅侧墙，所述第二浮栅侧墙由第二浮栅侧墙材料形成后再进行自对准刻蚀形成；由相邻两个所述单元结构的所述第一浮栅侧墙和所述第二浮栅侧墙自对准定义出所述源极多晶硅的形成区域，且所述源极多晶硅的底部宽度由所述第二浮栅侧墙自对准定义；所述第二浮栅侧墙材料包括通过对所述多晶硅浮栅的第一侧面的硅进行热氧化形成的第一氧化层以及采用CVD HTO形成的第二氧化层；所述第一氧化层直接和所述多晶硅浮栅的第一侧面接触并防止所述第二氧化层和所述多晶硅浮栅直接接触，从而避免所述第二氧化层中所含氯产生漏电路径并提高器件的数据保持能力；所述第二氧化层叠加在所述第一氧化层的表面用于在增加所述第二浮栅侧墙的厚度时防止对所述多晶硅浮栅的过度消耗，减少所述第一氧化层对所述源极多晶硅的底部宽度以及所述多晶硅浮栅的长度的减少的影响。