[发明专利]对被处理体进行处理的方法

摘要

本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。

主权项

一种对被处理体进行处理的方法，其包括形成工序，在该形成工序中，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，将含有氨基硅烷系气体的第1气体向等离子体处理装置的所述处理容器内供给；第2工序，在执行所述第1工序之后，在该第2工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在执行所述第2工序之后，在该第3工序中在所述处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，在执行所述第3工序之后，在该第4工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫，该对被处理体进行处理的方法还包括如下工序：准备工序，其在将所述被处理体收容于所述处理容器内之前进行；处理工序，在该处理工序中，对收容到所述处理容器内的所述被处理体进行蚀刻处理，所述准备工序在所述处理工序之前进行，所述形成工序在所述准备工序中执行，且在所述处理工序中执行，在所述第1工序中，不生成所述第1气体的等离子体。