[发明专利]对被处理体进行处理的方法

权利要求书

1.一种对被处理体进行处理的方法，其包括形成工序，在该形成工序中，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括如下工序：

第1工序，在该第1工序中，将含有氨基硅烷系气体的第1气体向等离子体处理装置的所述处理容器内供给；

第2工序，在执行所述第1工序之后，在该第2工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫；

第3工序，在执行所述第2工序之后，在该第3工序中在所述处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；

第4工序，在执行所述第3工序之后，在该第4工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫，

该对被处理体进行处理的方法还包括如下工序：

准备工序，其在将所述被处理体收容于所述处理容器内之前进行；

处理工序，在该处理工序中，对收容到所述处理容器内的所述被处理体进行蚀刻处理，

所述准备工序在所述处理工序之前进行，

所述形成工序在所述准备工序中执行，且在所述处理工序中执行，

在所述第1工序中，不生成所述第1气体的等离子体。

2.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第1气体含有单氨基硅烷。

3.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第1气体的氨基硅烷系气体含有具有1个～3个硅原子的氨基硅烷。

4.根据权利要求1或3所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述第1气体的氨基硅烷系气体含有具有1个～3个氨基的氨基硅烷。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

在所述处理工序之后且是在将所述被处理体从所述处理容器输出之后还具有将位于该处理容器内的氧化硅膜去除的工序。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述被处理体具有被蚀刻层和设于该被蚀刻层上的有机膜，

所述处理工序具有利用在所述处理容器内产生的等离子体对所述有机膜进行蚀刻的工序，

在所述处理工序中，所述形成工序在所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前执行，

直到所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前在所述处理容器内形成的所述氧化硅膜的膜的厚度比直到所述对所述有机膜进行蚀刻的工序结束为止该氧化硅膜中的被蚀刻且被去除的膜的厚度厚。

7.根据权利要求6所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

直到所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前在所述处理容器内形成的所述氧化硅膜的膜的厚度比所述被蚀刻层的膜的厚度薄。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，

所述被处理体具有被蚀刻层和设于该被蚀刻层上的有机膜，

所述处理工序具有利用在所述处理容器内产生的等离子体对所述有机膜进行蚀刻的工序，

在所述处理工序中，所述形成工序在所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前执行，

在所述有机膜上设有第1掩模，

所述处理工序还包括利用在所述处理容器内产生的等离子体对在防反射膜之上具有抗蚀剂掩模的所述防反射膜进行蚀刻的工序，在该工序中，从该防反射膜形成所述第1掩模，

所述对所述有机膜进行蚀刻的工序在所述对所述防反射膜进行蚀刻的工序之后执行，

在所述处理工序中，所述形成工序在所述对所述防反射膜进行蚀刻的工序与所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之间执行，

所述处理工序在所述形成工序与所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之间还包括利用在所述处理容器内产生的等离子体将通过该形成工序形成的所述氧化硅膜中的位于该有机膜的表面上的区域去除的工序。