[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备有效
| 申请号： | 201610872907.6 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206600B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括存储单元的阵列，各存储单元层中的存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准。每个存储单元包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的存储栅堆叠。同一存储单元层中各存储单元的存储栅堆叠成一体。对于各存储单元，其第一源/漏层与下层的相应存储单元的第二源/漏层一体，其第二源/漏层与上层的相应存储单元的第一源/漏层一体。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括存储单元的阵列，各存储单元层中的存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准，其中每个存储单元包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的存储栅堆叠，其中，同一存储单元层中各存储单元的存储栅堆叠成一体，以及其中，对于各存储单元，其第一源/漏层与下层的相应存储单元的第二源/漏层一体，其第二源/漏层与上层的相应存储单元的第一源/漏层一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610872907.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光显示装置
- 下一篇：在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
