[发明专利]具有纳米压印的图案的存储器装置及其制造方法在审
申请号: | 201610865921.3 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106972023A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | D.R.舍帕德 | 申请(专利权)人: | HGST荷兰公司 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例总体上涉及一种存储器装置及其制造方法,所述存储器装置具有互联于常规加工的电路的纳米压印的图案。存储器装置包含多个导电迹线、具有多个导电垫的基板、以及多个导电柱。每个导电垫被尺寸化为考虑到纳米压印工艺中固有的对准误差。每个导电柱联接在导电迹线与导电垫之间,所述导电迹线与导电垫允许纳米压印光刻法的非常微小的特征构造与常规的晶片的更大特征构造的互联。 | ||
搜索关键词: | 具有 纳米 压印 图案 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器装置,包括:多个导电迹线,其中所述多个导电迹线设置在公共平面中,其中所述多个导电迹线中的第一导电迹线具有第一长度,其中所述多个导电迹线中的第二导电迹线具有第二长度,并且所述第二长度小于所述第一长度;基板,所述基板具有形成在其中的多个导电垫;以及多个导电柱,其中所述多个导电柱中的第一导电柱联接在所述第一导电迹线与所述多个导电垫中的第一导电垫之间,其中所述多个导电柱中的第二导电柱联接在所述第二导电迹线与所述多个导电垫中的第二导电垫之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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