[发明专利]具有纳米压印的图案的存储器装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610865921.3 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN106972023A 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: D.R.舍帕德 申请(专利权)人: HGST荷兰公司
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 邱军
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的实施例总体上涉及一种存储器装置及其制造方法,所述存储器装置具有互联于常规加工的电路的纳米压印的图案。存储器装置包含多个导电迹线、具有多个导电垫的基板、以及多个导电柱。每个导电垫被尺寸化为考虑到纳米压印工艺中固有的对准误差。每个导电柱联接在导电迹线与导电垫之间,所述导电迹线与导电垫允许纳米压印光刻法的非常微小的特征构造与常规的晶片的更大特征构造的互联。
搜索关键词: 具有 纳米 压印 图案 存储器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种存储器装置,包括:多个导电迹线,其中所述多个导电迹线设置在公共平面中,其中所述多个导电迹线中的第一导电迹线具有第一长度,其中所述多个导电迹线中的第二导电迹线具有第二长度,并且所述第二长度小于所述第一长度;基板,所述基板具有形成在其中的多个导电垫;以及多个导电柱,其中所述多个导电柱中的第一导电柱联接在所述第一导电迹线与所述多个导电垫中的第一导电垫之间,其中所述多个导电柱中的第二导电柱联接在所述第二导电迹线与所述多个导电垫中的第二导电垫之间。
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