[发明专利]半导体静电放电保护元件

摘要

本发明公开一种半导体静电放电保护元件，包含有一基底、一设置于该基底内的第一隔离结构、一设置于该基底上且覆盖部分该第一隔离结构的栅极、一设置于该栅极的一第一侧的该基底内的源极区域、以及一设置于该栅极的一第二侧的该基底内的漏极区域，且该第一侧与该第二侧为该栅极的相对两侧。该基底与该漏极区域包含有一第一导电型态，而该源极区域包含一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。

主权项

一种半导体静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护元件，包含有：基底，该基底包含有第一导电型态；第一隔离结构，设置于该基底内；栅极，设置于该基底上，且该栅极覆盖部分该第一隔离结构；源极区域，设置于该栅极的第一侧的该基底内，该源极区域包含第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补(complementary)；以及漏极区域，设置于该栅极的第二侧的该基底内，且该第一侧与该第二侧为该栅极的相对两侧，该漏极区域包含有该第一导电型态。