[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，在现有的瞬态电压抑制器的基础上额外的添加栅叠层，并利用扩散隔离区复用为导电通道，使得所述栅叠层、第一掺杂区、导电通道、第二半导体层构成一个与所述瞬态电压抑制器的齐纳或雪崩二极管并联的MOS管，以实现在I/O端的电流较大时，所述MOS管导通，从而为所述齐纳或雪崩二极管分担部分I/O端的电流，以避免所述齐纳或雪崩二极管因为承受过高的电流而损坏，提高了所述瞬态电压抑制的鲁棒性能，且不会引起制造成本的明显增加。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的第一半导体层，第二掺杂类型的第一埋层，所述第一埋层位于所述第一半导体层中，且被所述第一半导体层裸露，第二掺杂类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一埋层上方，第一掺杂类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第二半导体层中，且被所述第二半导体层裸露，位于所述第二半导体层上的栅叠层，所述栅叠层包括栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极导体层，第一掺杂类型的导电通道，所述导电通道与所述栅叠层相邻，并延伸至所述第一半导体层处或所述第一半导体层中，与所述第一掺杂区电连接的第一电极，与所述栅极导体层电连接的第二电极，与所述第一半导体层电连接的第三电极，所述第二电极与第三电极电连接。