[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，通过在退火再结晶工艺中，将电磁波波长范围从可见光波段扩展到了红外光波段，在注入杂质的原子半径大于半导体衬底元素的原子半径时，在传统的退火工艺基础上，本发明所增加的红外波段的退火工艺效力可以抵达硅片表面以下更深的区域，从而提高了衬底的再结晶恢复能力，可有效减少深掺杂区域的晶格位错，抑制金属杂质向半导体衬底的扩散，能够有效消除白色像素缺陷问题。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行单次离子注入，所注入杂质的原子半径大于半导体衬底材料的原子半径；然后使用电磁波对半导体衬底进行数次退火再结晶工艺，每次使用不同波长的电磁波，所使用的电磁波包括可见光和红外光波段。