[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行单次离子注入，所注入杂质的原子半径大于半导体衬底材料的原子半径；然后使用电磁波对半导体衬底进行数次退火再结晶工艺，每次使用不同波长的电磁波，所使用的电磁波包括可见光和红外光波段；其中，采用红外光波段电磁波能量修复衬底深处的在离子注入过程中损伤的晶格结构，并使杂质离子处于晶格阵列位置上，以抑制金属污染。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底材料为硅，所注入杂质的种类为砷、锑、铝、镓或铟。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所使用的电磁波的波长范围为350～2500纳米。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所使用的电磁波的发射源包括激光、氙气灯、氙气汞灯、氙气闪光灯或LED灯。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过定义离子注入区域，并进行单次离子注入和数次退火再结晶工艺，在所述半导体衬底中形成光电二极管，并继续通过在所述半导体衬底上制备栅极和多层介质层，以及制备接触孔和形成金属硅化物、金属布线工程、层间介质层及平坦化过程，从而制备出所需的半导体器件。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行多次离子注入，每次的注入深度不同，所注入杂质的原子半径大于半导体衬底材料的原子半径；然后使用电磁波对半导体衬底进行数次退火再结晶工艺，每次使用不同波长的电磁波，所使用的电磁波包括可见光和红外光波段；其中，采用红外光波段电磁波能量修复衬底深处的在离子注入过程中损伤的晶格结构，并使杂质离子处于晶格阵列位置上，以抑制金属污染。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底材料为硅，所注入杂质的种类为砷、锑、铝、镓或铟。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所使用的电磁波的波长范围为350～2500纳米。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所使用的电磁波的发射源包括激光、氙气灯、氙气汞灯、氙气闪光灯或LED灯。

10.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过定义离子注入区域，并进行多次离子注入和数次退火再结晶工艺，在所述半导体衬底中形成光电二极管，并继续通过在所述半导体衬底上制备栅极和多层介质层，以及制备接触孔和形成金属硅化物、金属布线工程、层间介质层及平坦化过程，从而制备出所需的半导体器件。