[发明专利]基于一维纳米半导体结构表面态调控的自供能光电探测器及制备方法

摘要

基于一维纳米半导体结构表面态调控的自供能光电探测器及制备方法，其特征是包括单根一维纳米半导体结构材料、金属电极、聚合物封装层、基片、导线；单根一维纳米半导体结构材料水平放置在基片的中间，金属电极位于单根一维纳米半导体结构材料的两端，并与导线连接，聚合物封装层将单根一维纳米半导体结构材料、金属电极覆盖在基片上。在100℃真空烘箱中保温24小时。本发明的自供能光电探测器，制备工艺简单，在继承原有光电探测器的优点上再利用宽禁带半导体材料的直接带隙作用，有效提高了器件的光电导增益、光响应度以及选择性，对实际应用非常有利。

主权项

基于一维纳米半导体结构表面态调控的自供能光电探测器，其特征是包括单根一维纳米半导体结构材料（1）、金属电极（2）、聚合物封装层（3）、基片（4）、导线（5）；单根一维纳米半导体结构材料（1）水平放置在基片（4）的中间，金属电极（2）位于单根一维纳米半导体结构材料（1）的两端，并与导线（5）连接，聚合物封装层（3）将单根一维纳米半导体结构材料（1）、金属电极（2）覆盖在基片（4）上。