[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟锌原子比大于所述第三子层中的铟锌原子比；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，所述第一子层和所述第三子层铟锌原子比的差异影响蚀刻过程中凹槽的轮廓的形成，导致该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板包括多个薄膜晶体管、第一导电层及第二导电层，该薄膜晶体管包括栅极、通道层、源极和漏极；所述第一导电层包含所述栅极；所述通道层与所述栅极绝缘设置；所述第二导电层位于所述通道层一侧，所述第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的所述源极和所述漏极，其中，所述多层结构的第二导电层至少包含：第一子层，其位于所述通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、所述第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比定义为第一铟锌比，所述第三子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比定义为第二铟锌比，所述第一铟锌比大于所述第二铟锌比；所述第二导电层经蚀刻形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。