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[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制作方法-CN201910690576.8有效
发明人：陈柏辅;吴逸蔚;陆一民;张炜炽 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型发光二极管显示面板及其制作方法，微型发光二极管显示面板包括：薄膜晶体管阵列基板；多个微型发光二极管，间隔设置于所述薄膜晶体管阵列基板上且位于所述显示区域；公共电极，位于所述薄膜晶体管阵列基板上，覆盖所有微型发光二极管且与微型发光二极管电性连接；金属层，位于所述公共电极远离所述微型发光二极管的一侧且电性连接所述公共电极；以及黑色光阻层，位于所述金属层远离所述公共电极的一侧，所述黑色光阻层中开设有贯穿所述黑色光阻层和所述金属层的多个孔洞，每个孔洞正对一个微型发光二极管以使微型发光二极管发出的光能够穿过射出，所述公共电极、所述金属层及所述黑色光阻层设置于显示区域并延伸至边界区域。
微型发光二极管显示面板及其制作方法

[发明专利]微型发光二极管显示面板-CN201910438700.1有效
发明人： 吴逸蔚;陆一民;穆卢干·骆那登 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微型发光二极管显示面板，包括薄膜晶体管基板、多个微型发光二极管、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层置于薄膜晶体管基板的第一表面。第二绝缘层包括间隔排布的多个第二绝缘单元。每一个第二绝缘单元层叠于第一绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的一侧。多个微型发光二极管嵌设于第一绝缘层和第二绝缘单元中。第二绝缘层的材质为光吸收材料，薄膜晶体管基板的第一表面未被多个第二绝缘单元覆盖的区域为透光区域。
微型发光二极管显示面板

[发明专利]拼接式显示器-CN202010724638.5有效
发明人： 吴逸蔚;尹学敏;洪志隆 -专利权人：胜利仕科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G09F9/302 文献下载
摘要：一种拼接式显示器，其包括：拼接的至少两个显示装置，每一个显示装置具有一供使用者观看的正面，所述正面包括显示区和位于所述显示区外的边框区；每相邻的两个显示装置的连接处设置有两个图像补偿元件，每一个图像补偿元件对应设置在一个显示装置的正面；每一个图像补偿元件包括第一部分和与所述第一部分连接的第二部分，所述第一部位相对所述第二部分更靠近所述边框区。本发明通过图像补偿元件将被图像补偿元件覆盖的正面呈现的显示画面得以导出，使得相邻两个显示装置的显示画面在拼接处形成连续画面。
拼接显示器

[发明专利]微型器件的转移装置及微型器件的转移方法-CN201910301234.2有效
发明人：张炜炽;林金源;陈英杰;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种微型器件的转移装置，包括：第一基底；转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述转移基底用于承载多个微型器件；所述第一基底和所述转移基底之间还包括至少一个缓冲元件。本发明的微型器件的转移装置能够在转移微型器件时提供缓冲力，避免微型器件被损坏。
微型器件转移装置方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201680078714.1有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在基底(101)上并定义复合侧面蚀刻轮廓的多层结构。所述多层结构包括设置在基底(101)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的下子层(105‑1)，所述下子层(105‑1)中的铟和锌含量基本上定义了第一铟与锌含量比；设置在所述下子层上且包含金属材料的中间子层(105‑2)；设置在所述中间子层(105‑2)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的上子层(105‑3)，所述上子层(105‑3)中铟对锌的含量基本上定义小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；以及形成在侧面蚀刻表面上的侧面副产物层，其基本上包含所述中间子层(105‑2)中的金属材料的金属氧化物。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]制备导电结构和薄膜晶体管阵列面板的方法-CN201680078691.4有效
发明人：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在基底上提供导电结构的方法，其包括：在基底上设置下子层，所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中底部子层中的铟和锌含量基本上定义第一铟与锌含量比；在所述下子层的暴露表面上进行第一次氢处理以在其中引入氢含量；在所述下子层上设置中间子层，所述中间子层包含金属材料；在所述中间子层上设置上子层，所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义小于所述第一铟与锌的含量比的第二铟与锌含量比；以及图案化所述多层导电结构以形成复合侧面蚀刻轮廓。
制备导电结构薄膜晶体管阵列面板方法

[发明专利]微型LED显示面板制作方法及显示面板-CN201810972183.1有效
发明人：郑荣安;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种微型LED显示面板的制作方法，包括：提供一背板，该背板上具有间隔设置的多颗微型LED；在背板上形成第一隔离墙，第一隔离墙将微型LED显示面板划分为相互独立的多个发光区域，每一个发光区域内设置有一个微型LED；在背板具有多颗微型LED的表面上形成多个子单元层，每一个子单元层对应设置在一个发光区域中，每一个子单元层中嵌设有一个微型LED；以及形成覆盖多个子单元层和多个微型LED的公共电极。本发明实施例提供的微型LED显示面板制作方法，提高了制作效率。本发明实施例还提供一种微型LED显示面板。
微型 led 显示面板制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN201610814409.6有效
发明人：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及半导体装置-CN201610812432.1有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在通道层上形成第一子层，所述第一子层包含含铟、锌的金属氧化物，形成第二子层覆盖于所述第一子层上，所述第二子层包含金属材料；形成第三子层覆盖于所述第二子层上，所述第三子层包含含金属铟、锌的氧化物，第一子层、第二子层和第三子层共同构成了第二导电层，蚀刻该第二导电层形成一凹槽贯穿第一子层、第二子层及第三子层，以使得第二导电层形成间隔设置的源极与漏极；形成钝化层覆盖在所述源极、所述漏极以及所述通道层之上，在钝化层的形成过程中所述凹槽的侧壁上形成一侧副层夹设于所述第二导电层与钝化层之间。本发明还提供一种半导体装置。
薄膜晶体管阵列制造方法半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构-CN201680078671.7有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列面板包括：包括栅极的第一导电层(102)；设置在所述栅极上方的沟道层(104)和设置在沟道层(104)上的第二导电层(105)。所述第二导电层(105)包括定义源极(105a)和漏极(105b)的多层部分，其包括依次相继设置的第一子层(105‑1)、第二子层(105‑2)和第三子层(105‑3)。所述第三和所述第一子层(105‑3、105‑1)均包含铟和锌氧化物材料。所述第一子层(105‑1)中的铟与锌的含量比大于所述第三子层(105‑3)中的铟与锌的含量比。所述第一和所述第三子层(105‑1、105‑3)之间的含量比例差异影响形成在所述第二导电层(105)中所述源极和所述漏极(105a、105b)之间的间隙(106)相关的侧面蚀刻轮廓，其中第三子层(105‑3)中的相关间隙(106)宽度比第一子层(105‑1)中的相关间隙(106)宽度宽。
薄膜晶体管阵列面板导电结构

[发明专利]拼接式显示器-CN201811644557.3在审
发明人： 吴逸蔚;洪志隆 -专利权人：胜利仕科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种拼接式显示器，其包括依次排布的至少两个显示装置，每一个显示装置具有使用者观看的正面，正面包括显示区和位于显示区外的边框区。每相邻的两个显示装置的相邻处设置有两个图像补偿元件。所述图像补偿元件包括导光路径相互独立的多个导光通道。每一图像补偿元件的出光面上设置有一导光薄片，导光薄片包括导光路径相互独立的多个导光通道，导光薄片的导光通道与图像补偿元件的导光通道相互导通；导光薄片的导光通道的延伸方向垂直正面。本发明通过图像补偿元件和导光薄片将被图像补偿元件覆盖的正面呈现的显示画面导出，使得相邻两个显示装置的显示画面形成连续画面。
拼接显示器

[发明专利]微型LED显示面板-CN201810506989.1有效
发明人： 吴逸蔚;张炜炽;赖宠文;李昇翰 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种微型LED显示面板，包括基板及形成在所述基板上的间隔设置的多个微型LED。每一个微型LED远离基板的顶端设置有公共电极。每一个微型LED靠近基板的底端设置有接触电极。每一个微型LED包括连接于其顶端和底端之间的侧壁。每一个微型LED的侧壁上设置有调节电极，所述调节电极与接触电极和公共电极均电性绝缘。所述调节电极限制微型LED中的载流子于微型LED的走向，有效提升并控制微型LED的性能。
微型LED 基板电极公共电极接触电极显示面板侧壁底端载流子电性绝缘顶端设置间隔设置

[发明专利]液晶显示装置-CN201910070174.8在审
发明人： 吴逸蔚 -专利权人：胜利仕科技股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种液晶显示装置，其包括显示面板与背光模组。显示面板包括TFT基板，其包括平坦的基底主部和由基底主部弯折延伸的延伸部，延伸部上设置有电性连接TFT基板的驱动芯片。背光模组包括导光板和多个LED颗粒。导光板包括层叠在基底主部一侧的平坦的主体部和由主体部朝远离基底主部的方向弯折延伸的弯折部，弯折部与延伸部朝同一方向弯折且位于液晶显示装置的同一侧，弯折部远离主体部的端面为导光板的入光面，主体部朝向并靠近基底主部的表面为导光板的出光面。LED颗粒正对入光面设置。所述液晶显示装置的LED颗粒和驱动芯片均不占用下边框，因此所述液晶显示装置可实现较窄的下边框，甚至无下边框的效果。
基底主部液晶显示装置导光板主体部弯折部下边框延伸部背光模组驱动芯片弯折延伸显示面板入光面平坦电性连接同一方向出光面弯折正对占用

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201610809247.7有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极，第二导电层至少包含：第一子层，其位于通道层上且与所述通道层电连接；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第一子层中的铟锌原子比大于所述第三子层中的铟锌原子比；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，所述第一子层和所述第三子层铟锌原子比的差异影响蚀刻过程中凹槽的轮廓的形成，导致该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201610749723.0有效
发明人：高逸群;施博理;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板，其包括绝缘基板、形成于绝缘基板上的半导体层及形成于半导体层上的第二导电层，所述第二导电层形成间隔设置的源极与漏极，所述第二导电层至少包括：第一子层，其形成于半导体层上，其材质为金属氧化物；第二子层，其形成于第一子层上，其材质为铝或铝合金。本发明还提供该种薄膜晶体管阵列基板的制备方法。所述第一子层可作为所述半导体层与第二子层之间的欧姆接触层；另外还避免使用铜作为第二子层。
薄膜晶体管阵列及其制备方法

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