[发明专利]一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法

摘要

本发明涉及湿法刻蚀技术领域，公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位，蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后，依次经过蚀刻液喷涂工位，反应工位，清洗工位，风干工位，取料工位，取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外，本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案，可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题，提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率，可适用于大规模批量连续生产。

主权项

1.一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：输送装置和沿所述输送装置的输送方向依次设置的上片工位(11)、蚀刻膏喷涂工位(12)、反应工位(13)、清洗工位(14)、风干工位(15)、取料工位(16)和工装盘回收工位(17)；所述上片工位(11)包括含有放置ZnO片的ZnO片凹槽(39)的工装盘(36)；所述蚀刻膏喷涂工位(12)包括喷涂蚀刻膏的蚀刻膏喷嘴(25)，储存蚀刻膏的蚀刻膏容器(33)以及控制蚀刻膏喷嘴(25)在所述工装盘(36)上方按设定好的路径和速度往复运动的喷涂往复系统(32)；所述反应工位包括传感器和计时器，所述传感器用于检测所述工装盘(36)是否顺利到达所述反应工位(13)，所述计时器用于记录所述工装盘(36)到达所述反应工位(13)停留的时间；所述清洗工位包括清水供应系统(35)、喷淋系统(26)、喷淋罩(30)和排水系统(37)，所述清水供应系统(35)用于提供清洗所用的水源，所述喷淋系统(26)用于喷射清水以清洗ZnO片，所述喷淋罩(30)用于清洗时防止水流飞溅，所述排水系统(37)用于排放清洗产生的废水；所述风干工位(15)包括高压风机(28)、出风口(27)、风干罩(31)以及排气口(38)，所述高压风机(28)用于提供风源并调节吹风温度和吹风时间，所述出风口(27)用于调节出风角度，所述风干罩(31)用于防止所述出风口(27)的出风乱吹，所述排气口(38)用于所述风干工位(15)内的风排出；所述取料工位(16)包括工装盘下移组件，所述工装盘下移组件(23)用于承接从所述风干工位(15)输送过来的所述工装盘(36)并锁定位置，以取出完成蚀刻工艺的ZnO片；所述工装盘回收工位包括工装盘输送组件(22)和上移旋转装置(24)，所述工装盘输送组件(22)用于将所述工装盘(36)从所述取料工位(16)的下方输送至所述上片工位(11)的下方，所述上移旋转装置(24)用于将所述工装盘(36)从所述上片工位(11)的下方输送至所上片工位(11)。