[发明专利]半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置有效
| 申请号： | 201610804876.0 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106207753B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 方瑞禹 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 邢雪红;乔彬 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置，本发明的半导体激光芯片，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。本发明的半导体激光芯片可提高生产效率和产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 芯片 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同；所述凹槽的侧壁与所述芯片单元上与所述凹槽侧壁相对表面为相互平行的平面；所述第一膜层覆盖所述凹槽的侧壁和所述芯片单元上形成有所述凹槽的表面，所述电极形成于所述第一膜层上。
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