[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201610801182.1 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106206428A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 许传志;童晓阳;李雄平;谢正芳 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;马晓亚 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,所述阵列基板的制作方法包括:在基板上形成栅金属层,并利用第一掩膜板曝光显影形成栅极层;在栅极层上形成覆盖其的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成半导体层,并利用栅极层或第一掩膜板曝光显影形成半导体子层;在半导体子层上形成刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层和半导体子层上形成源漏金属层,图案化源漏金属层和半导体子层,形成源漏极层和有源层。上述阵列基板的制作方法可以利用栅极层或第一掩膜板,以及源漏极层制作有源层,无需引入新的掩膜板,从而减少了阵列基板制作过程中使用掩膜板的数目,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成栅金属层,并利用第一掩膜板曝光显影形成栅极层;在所述栅极层上形成覆盖所述栅极层的栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成半导体层,并利用所述栅极层或所述第一掩膜板曝光显影形成半导体子层;在所述半导体子层上形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层和所述半导体子层上形成源漏金属层,图案化所述源漏金属层和所述半导体子层,形成源漏极层和有源层;其中,所述源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极;在所述第一方向上,所述源极远离所述漏极的边缘向所述基板的正投影和所述漏极远离所述源极的边缘向所述基板的正投影之间的距离与所述有源层向所述基板正投影图形的长度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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