[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610795669.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106229346A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘勋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了本发明一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，基板上设有图形化的氧化物半导体层，在氧化物半导体层上沉积栅极绝缘层，栅极绝缘层上有图案化的栅极层，氧化物半导体层的一侧上设有第一道氧化铟锡层，氧化物半导体层的另一侧设置有像素电极，在氧化铟锡层、栅极层以及像素电极上沉积有层间绝缘层，在层间绝缘层上刻蚀有过孔，并在层间绝缘层的一侧沉积出图形化的第二道金属层，在第二道金属层上沉积有钝化层并刻蚀有过孔，钝化层上沉积共同电电极层。本发明另一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，与现有技术相比，减少了半导体源极和漏极两端的电阻率，既保障了电阻率小的需求，从而提高了产品的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上设有图形化的氧化物半导体层(2)，在氧化物半导体层(2)上沉积栅极绝缘层(9)，栅极绝缘层(9)上形成有图案化的栅极层(5)，在氧化物半导体层(2)的一侧上设有覆盖在氧化物半导体层(2)上的第一道氧化铟锡层(4)，氧化物半导体层(2)的另一侧设置有像素电极(3)，在氧化铟锡层(4)、栅极层(5)以及像素电极(3)上沉积有层间绝缘层(10)，在层间绝缘层(10)上刻蚀有过孔，并在层间绝缘层(10)的一侧沉积出图形化的第二道金属层(6)，在第二道金属层(6)上沉积有钝化层(7)并刻蚀有过孔，所述钝化层(7)上沉积共同电电极层(8)。
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