[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，包括第一区域和第二区域；形成伪栅结构；形成开口；形成第一栅介质层和第二栅介质层；形成牺牲层；形成第一材料层；形成第一掩膜；露出所述第二栅介质层；露出所述第一材料层；形成第二材料层。与仅靠所述第一材料层保护所述第二栅介质层的现有技术相比，本发明技术方案中，所述第一材料层和所述牺牲层的总厚度较大，对所述第二栅介质层的保护能力更强，能够有效的减少第二栅介质层在第一掩膜形成过程中受损，有利于提高栅介质层的性能，改善所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括用于形成晶体管的第一区域和第二区域，且所述第一区域晶体管的阈值电压大于第二区域晶体管的阈值电压；在所述基底上形成伪栅结构；在相邻伪栅结构间的基底上形成介质层；去除所述伪栅结构在所述介质层内形成开口；在所述开口底部形成栅介质层，位于所述第一区域介质层内开口底部的栅介质层为第一栅介质层，位于所述第二区域介质层内开口底部的栅介质层为第二栅介质层；在所述第二栅介质层上形成牺牲层；在所述第一栅介质层和牺牲层上形成第一材料层；形成位于所述第一材料层上的第一掩膜，所述第一掩膜露出所述第二栅介质层上的第一材料层；以所述第一掩膜为掩膜，去除所述第二栅介质层上的第一材料层和牺牲层，露出所述第二栅介质层；去除所述第一掩膜，露出所述第一栅介质层上的所述第一材料层；在所述第一栅介质层的第一材料层和所述第二栅介质层上形成第二材料层。