[发明专利]半导体存储装置及存储系统有效
| 申请号： | 201610772128.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195326B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 沙納德·布什納克;赤嶺公之;白川政信 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储装置及存储系统。实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1存储器单元(SU0)，包含依次积层在半导体衬底的上方的第1至第4存储单元(MT)；第2存储器单元(SU1)，包含依次积层在半导体衬底的上方的第5至第8存储单元(MT)；第1字线(WL1)，连接于第1及第5存储单元的栅极；第2字线(WL2)，连接于第2及第6存储单元的栅极；第3字线(WL3)，连接于第3及第7存储单元的栅极；及第4字线(WL4)，连接于第4及第8存储单元的栅极。在写入动作中，按照第4存储单元(MT)、第1存储单元(MT)、第8存储单元(MT)、第5存储单元(MT)的顺序进行写入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 存储系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1存储器单元，包含依次积层在半导体衬底的上方的第1至第4存储单元；第2存储器单元，包含依次积层在所述半导体衬底的上方的第5至第8存储单元；第1字线，连接于所述第1及第5存储单元的栅极；第2字线，连接于所述第2及第6存储单元的栅极；第3字线，连接于所述第3及第7存储单元的栅极；及第4字线，连接于所述第4及第8存储单元的栅极；且在写入动作中，按照所述第4存储单元、所述第1存储单元、所述第8存储单元、所述第5存储单元的顺序进行写入。
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