[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

非易失性存储器结构包括半导体衬底以及该半导体衬底中的第一掺杂剂类型的第一层。该非易失性存储结构还包括第一层上方的第二掺杂剂类型的第一阱区、第一层上方并且与第一阱区间隔开的第二掺杂剂类型的第二阱区、以及设置在第一阱区与第二阱区之间并且向下延伸至第一层的第一掺杂剂类型的第三阱区。本发明还提供了非易失性存储器及其制造方法。

主权项

一种非易失性存储器，包括：半导体衬底；第一层，具有第一掺杂剂类型并位于所述半导体衬底中；第一阱区，具有第二掺杂剂类型并位于所述第一层上方；第二阱区，具有所述第一掺杂剂类型；第三阱区，具有所述第二掺杂剂类型，位于所述第一层上方并且与所述第一阱区间隔开，所述第二阱区设置在所述第一阱区与所述第三阱区之间并且向下延伸至所述第一层；以及第一栅极层，在所述第一阱区、所述第二阱区和所述第三阱区上方延伸。