[发明专利]一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610764057.8 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206678A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 宣传进;郝建勇;周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管，包括从下到上依次设置的衬底层、N型氮化镓层、第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层上设置有第一镂空区，所述第一镂空区内的N型氮化镓层上设有凹槽，所述第一镂空区内的N型氮化镓层上从下到上依次设置有P型氮化镓层、势垒层和金属层，所述P型氮化镓层设置在凹槽内，所述第二钝化层上设置有第二镂空区。本发明有效解决了现有氮化镓肖特基二极管常温状态下使用时反向漏电流大的缺陷，保证了反向电压，利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓肖特基二极管，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底层、N型氮化镓层、第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层上设置有第一镂空区，所述第一镂空区内的N型氮化镓层上设有凹槽，所述第一镂空区内的N型氮化镓层上从下到上依次设置有P型氮化镓层、势垒层和金属层，所述P型氮化镓层设置在凹槽内，所述第二钝化层上设置有第二镂空区。
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