[发明专利]氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610754922.0 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252394B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李俊;张建华;蒋雪茵;张志林 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X%HfO2/ZnSnO:Y%HfO2其中（X | ||
| 搜索关键词： | 具有 成分 有源 结构 氧化物 薄膜 场效应 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件，其特征在于：按结构层次序依次逐层制备而成，主要由基板(1)、栅极(2)、绝缘层(3)、有源层(4)、源极(5)、漏极(6)和钝化层(7)构成底栅结构或顶栅结构，所述有源层(4)采用具有成分缓变结构的ZnSnO:HfO2复合氧化物薄膜制成，具体为：以ZnSnO为基础材料，以HfO2为掺杂材料，通过调控HfO2在ZnSnO氧化物薄膜中的掺杂量为X～Y％，使所述有源层(4)的材料结构为：由ZnSnO层、ZnSnO:X％HfO2复合层、ZnSnO:Y％HfO2复合层组成的具有成分梯度的成分缓变结构，其中X<Y，X％和Y％皆采用相同的计量物质的百分比；通过调控HfO2在ZnSnO氧化物薄膜中的掺杂量为10～20％。
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