[发明专利]具有金属裂纹停止的集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610751492.7 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106486478B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | J·S·梁;荻野·淳;R·A·阔恩;S·E·格勒乔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供具有金属裂纹停止的集成电路结构及其形成方法。依据本发明的实施例的IC结构可包括设于衬底上方的绝缘体；设于该绝缘体上方的阻挡膜；设于该阻挡膜上方的层间介电质；以及设于该衬底上方并与各该绝缘体、该阻挡膜以及该层间介电质横向相邻的金属裂纹停止，其中，该金属裂纹停止包括侧壁，该侧壁中具有第一凹部，以及其中，该阻挡膜与该层间介电质之间的水平界面与该金属裂纹停止的该侧壁相交。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 裂纹 停止 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：绝缘体，设于衬底上方；阻挡膜，设于该绝缘体上方；层间介电质，设于该阻挡膜上方；以及金属裂纹停止，包括设于该衬底上方并与各该绝缘体、该阻挡膜以及该层间介电质横向相邻的连续金属填充物，其中，该金属裂纹停止还包括侧壁，该侧壁中具有第一凹部，以及其中，该阻挡膜与该层间介电质之间的水平界面与该金属裂纹停止的该侧壁相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
