[发明专利]一种氮化物半导体发光器件的外延生长工艺在审
| 申请号： | 201610750924.2 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206879A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 戴俊;王明洋;闫其昂;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化物半导体发光器件的外延生长工艺，属于半导体光电技术领域，在生长高In组分InGaN/GaN多量子阱有源层的高In组分InGaN阱层时，采用的氮源包含在700℃以下即具有高分解能力的含氮化合物，能够实现在较低的温度下生长InGaN合金，并且相较于传统工艺中的NH3提供更多的氮原子，提高气相中的氮分压，这些都有利于In的并入，从而提高InGaN合金中的In组分，同时还可避免采用高温进行InGaN合金外延生长所带来的一系列问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 发光 器件 外延 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件的外延生长工艺，在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、高In组分InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层；其特征在于：在生长所述高In组分InGaN/GaN多量子阱有源层的高In组分InGaN阱层时，采用的氮源包含在700℃以下即具有高分解能力的含氮化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州中科半导体照明有限公司，未经扬州中科半导体照明有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610750924.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
