[发明专利]光刻衬底标记工具及形成衬底识别标记的方法有效

专利信息
申请号: 201610741879.4 申请日: 2016-08-26
公开(公告)号: CN106611698B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 林胡伟;许志贤;邱昱玮;陈海茵;王英豪;吴育恒 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/67;H01L21/68;H01L23/544
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 在一些实施例中,本发明涉及光刻衬底标记工具。光刻衬底标记工具具有第一光刻曝光工具,该第一光刻曝光工具布置在共用的壳体内并且配置为在多次曝光期间生成第一类型的电磁辐射。可移动的中间掩模具有多个不同的中间掩模域,该多个不同的中间掩模域分别配置为阻挡第一类型的电磁辐射的一部分,以将衬底识别标记暴露在半导体衬底上面的感光材料内。横向元件配置为移动该可移动的中间掩模,从而使得多个中间掩模域中的各中间掩模域在多次曝光中的各曝光期间暴露至感光材料上。因此,可移动的中间掩模允许使用相同的中间掩模将衬底识别标记的不同字符串形成在感光材料内,由此提供光刻衬底标记的经济效益。本发明的实施例还涉及光刻晶圆标记工具以及形成衬底识别标记的方法。
搜索关键词: 光刻 衬底 标记 工具 形成 识别 方法
【主权项】:
1.一种光刻衬底标记工具,包括:第一光刻曝光工具,布置在共用的壳体内并且配置为在多次曝光期间生成第一类型的电磁辐射;可移动的中间掩模,包括多个不同的中间掩模域,所述多个不同的中间掩模域分别配置为阻挡所述第一类型的电磁辐射的一部分,以将衬底识别标记暴露在半导体衬底上面的感光材料内;以及横向元件,配置为移动所述可移动的中间掩模,从而使得所述多个不同的中间掩模域中的各中间掩模域在所述多次曝光中的各曝光期间暴露至所述感光材料上;辐射引导器,位于所述第一光刻曝光工具和所述可移动的中间掩模之间,其中,所述第一类型的电磁辐射自所述第一光刻曝光工具以直线辐射穿过所述辐射引导器。
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