[发明专利]NMOS晶体管及其制作方法、CMOS晶体管

摘要

本发明提供了一种NMOS晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成遮光层以及覆盖遮光层的缓冲层；在缓冲层上形成多晶硅层；多晶硅层包括中间部、第一端部以及第二端部；对第一端部和第二端部进行第一次离子注入；对第一端部进行第二次离子注入；在缓冲层上形成覆盖多晶硅层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成栅极；在第一绝缘层上形成覆盖栅极的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成源极和漏极；源极与两第一端部之一接触，漏极与两第一端部之另一接触。本发明利用光阻的再流动特性制作N型重掺杂区和N型轻掺杂区，使得离子注入不需要穿过第一绝缘层，减少对第一绝缘层的伤害，而且还使得N型重掺杂区的对称性和N型轻掺杂的对称性更佳。

主权项

一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成遮光层以及覆盖所述遮光层的缓冲层；在所述缓冲层上形成多晶硅层；所述多晶硅层包括中间部、分别位于所述中间部两侧的第一端部以及位于所述中间部和所述第一端部之间的第二端部；对所述第一端部和所述第二端部进行第一次离子注入；对所述第一端部进行第二次离子注入；在所述缓冲层上形成覆盖所述多晶硅层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；在所述第一绝缘层上形成覆盖所述栅极的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成源极和漏极；所述源极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与两所述第一端部之一接触，所述漏极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与两所述第一端部之另一接触。